Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками
Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

CD и радиодетали почтойCD и радиодетали почтойCD и радиодетали почтойГлавная страница сайтаКонтакты и правила заказаЦены на радиодетали, обзор прайса.Акции и скидки для друзей

 

 

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 23)

полная маркировка
(тип прибора)

маркировка на
корпусе прибора

структура

Рекомендуемый
аналог

 

краткие параметры

типовая

альтерн.

BAS16

А 6

Si-Di

BAW62, 1N4148

Min, S, 85V, 0.1A, <6ns

BAS17

А 91

Si-St

ВА 314

Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA

BAS19

А 8

Si-Di

BAV19

Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms

BAS20

А 81

Si-Di

BAV20

Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms

BAS21

А 82

Si-Di

BAV21

Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms

BAS29

L20

Si-Di

BAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS31

L21

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

BAS35

L22

Si-Di

2xBAX12

Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms

ВАТ 17

A3

Pin-Di

BA480

VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz

В AT 18

А 2

Pin-Di

BA482

VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1 A, 200MHz

BAV70

А 4

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAV99

А 7

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, 70V, 0.1 A, <6ns

BAW56

А 1

Si-Di

2xBAW62 1N4148

Min, Dual, S, 70V, 0.1 A, <6ns

BBY31

S1

C-Di

BB405, BB609

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF

BBY40

S2

C-Di

BB809

UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF

ВС 807-16

5 А

5AR

Si-P

BC327-16

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 100- 250

ВС 807-25

5 В

5BR

Si-P

BC327-25

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 160- 400

ВС 807-40

5 С

5CR

Si-P

BC327-40

Min, NF-Tr,45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 808-16

5 Е

5ER

Si-P

BC328-16

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250

ВС 808-25

5F

5FR

Si-P

BC328-25

Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400

ВС 808-40

5G

5GR

Si-P

BC328-40

Min, NF-Tr,25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600

ВС 817-16

6 А

6AR

Si-N

BC337-16

Min, NF-Tr,5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250

ВС 846 В

1 В

1BR

Si-N

BC546B

Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz

ВС 847 А

1 Е

1ER

Si-N

BC547A, BC107A

Min, Uni,45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220

ВС 847 В

1F

1FR

Si-N

BC547B, BC107B

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 847 С

1G

1GR

Si-N

BC547C, BC107C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 848 А

1 J

1JR

Si-N

BC548A, BC108A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300mhz, B= 110-220

ВС 848 В

1 K

1KR

Si-N

BC548B, BC108B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 200-450

ВС 848 С

1L

1LR

Si-N

BC548C, BC108C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800

ВС 849 В

2 В

2BR

Si-N

BC549B, BC108B

Min, Uni, ra30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 849 С

2 С

2CR

Si-N

BC549C, BC109C,

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 850 В

2F

2FR

Si-N

BC550B, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450

ВС 850 С

2G

2GR

Si-N

BC550C, BCY59

Min, Uni, ra,45V, 0.1 A, 300MHz, B= 420-800

ВС 856 А

ЗА

3AR

Si-P

BC556A

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250

ВС 856 В

ЗВ

3BR

Si-P

BC556B

Min, Uni,65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 А

ЗЕ

3ER

Si-P

BC557A, BC177A

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 125-250

ВС 857 В

3F

3FR

Si-P

BC557B, BC177B

Min, Uni,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 857 С

3G

3GR

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 858 А

3J

3JR

Si-P

BC558A, BC178A

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 125-250

ВС 858 В

ЗК

3KR

Si-P

BC558B, BC178B

Min, Uni,30V, 0.1 A, 150mhzB= 220-475

ВС 858 С

3L

3LR

Si-P

BC558C

Min, Uni,30V, 0.1A, 150mhzB=420-800

ВС 859 А

4A

4AR

Si-P

BC559A,
BC179A,BCY78

Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 859 В

4B

4BR

Si-P

BC559B, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 859 С

4 С

4CR

Si-P

BC559C, BCY79

Min, Uni, ra,30V, 0.1 A, 150MHz, B= 420-800

ВС 860 А

4 Е

4ER

Si-P

BC560A, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 150

ВС 860 В

4F

4FR

Si-P

BC560B, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475

ВС 860 С

4G

4GR

Si-P

BC560C, BCY79

Min, Uni, ra,45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800

BCF29

С 7

С 77

Si-P

BC559A, BCY78,
ВС 179

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 150MHz,

BCF30

С 8

С 9

Si-P

BC559B, BCY78

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 150MHz,

BCF32

D7

D77

Si-N

BC549B, BCY58,
ВС 109

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1A, 300MHz,

BCF33

D8

D81

Si-N

BC549C, BCY58

Min, NF-V, ra, 32V, 0.1 A, 300MHz,

BCF70

Н 7

Н 71

Si-P

BC560B, BCY79

Min, NF-V, ra,50V, 0.1A, 1500MHz,

BCF81

К 9

К 91

Si-N

BC550C

Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, ra

BCV71

К 7

К 71

Si-N

BC546A

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=1 10-220

BCV72

К 8

К 81

Si-N

BC546B

NF/S, 80V.0.1A, 300MHz, B=200-450

BCW29

С 1

С 4

Si-P

BC178A, BC558A

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >120

BCW30

С 2

С 5

Si-P

BC178B, BC558B

Min, Uni,30V, 0.1A, 150MHz, B= >215

BCW31

D1

D4

Si-N

BC108A, BC548A

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >110

BCW32

D2

D5

Si-N

BC108B, BC548

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >200

BCW33

D3

D6

Si-N

BC108C, BC548C

Min, Uni,30V, 0.1A, 300MHz, B= >420

BCW60A

АА

Si-N

BC548A

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220

BCW60B

АВ

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 200-450

BCW60C

АС

Si-N

BC548B

Min, Uni,32V, 0.1 A, 250MHz, B= 420-600

BCW60D

AD

Si-N

BC548C

Min, Uni,32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800

BCW61A

ВА

Si-P

BC558A

Min, Uni,32V, 0.2A, 180mhz, B= 110-220

BCW61B

ВВ

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCW61C

ВС

Si-P

BC558B

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

BCW61D

BD

Si-P

BC558C

Min, Uni,32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800

BCW69

Н 1

Н 4

Si-P

BC557A

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120

BCW70

Н 2

Н 5

Si-P

BC557B

Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215

BCW71

К 1

К 4

Si-N

BC547A

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110

BCW72

К 2

К 5

Si-N

BC547B

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200

BCW81

КЗ

К 31

Si-N

BC547C

Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420

BCW89

НЗ

Н 31

Si-P

BC556A

Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120

ВСХ 17

Т 1

Т 4

Si-P

BC327

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 100MHz

ВСХ 18

Т 2

Т 5

Si-P

BC328

Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 100MHz

ВСХ 19

U1

U4

Si-N

BC337

Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz

ВСХ 20

U2

U5

Si-N

BC338

Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 200MHz

BCX70G

AG

Si-N

BC107A, BC547A

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220

ВСХ 70 Н

AH

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450

BCX70J

AJ

Si-N

BC107B, BC547B

Min, Uni,45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620

ВСХ 70 К

AK

Si-N

BC107C, BC547C

Min, Uni,45V, 0.2A, 250mhz, B= 600-800

BCX71G

BG

Si-P

BC177A, BC557A

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 125-250

ВСХ 71 Н

BH

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 220-475

BCX71J

BJ

Si-P

BC177B, BC557B

Min, Uni,45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650

ВСХ 71 К

BK

Si-P

BC557C

Min, Uni,45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800

BF510

S6

N-FET

BF410A

Min, VHF-ra,20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V

BF511

S7

N-FET

BF410B

Min, VHF-ra,20V, ldss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V

BF512

S8

N-FET

BF410C

Min, VHF-ra,20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V

BF513

S9

N-FET

BF410D

Min, VHF-ra,20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V

BF536

G3

Si-P

BF936

Min, VHF-M/O, 30V, 25mA, 350MHz

BF550

G2

G5

Si-P

BF450

Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz

BF569

G6

Si-P

BF970

Min, UHF-M/O, 40V, 30mA, 900MHz

BF579

G7

Si-P

BF979

Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHz

BF660

G8

G81

Si-P

BF606A

Min, VHF-O, 40V, 25mA,650MHz

BF767

G9

Si-P

BF967

Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz

BF820

1V

Si-N

BF420

Min, Vid 50mA, >60MHz

BF821

1W

Si-P

BF421

Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz

BF822

1X

Si-N

BF422

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF823

1Y

Si-P

BF423

Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz

BF824

F8

Si-P

BF324

Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz

BF840

F3

Si-N

BF240

Min, Uni, 15V, 0.1A, 0.3W,>90MHz

BF841

F31

SI-N

BF241

Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz

BFR30

M1

N-FET

BFW11, BF245

Min, Uni,25V, ldss>4mA, YP<5V

BFR31

M2

N-FET

BFW12, BF245

Min, Uni,25V, ldss>1mA, YP<2.5V

BFR53

N1

N4

Si-N

BFW30, BFW93

Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz

BFR92

P1

P4

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR92A

P2

P5

Si-N

BFR90

Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFR93

R1

R4

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFR93A

R2

R5

Si-N

BFR91

Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5- 6GHz

BFS17, (BFS17A)

E1 (E2)

E4 (E5)

Si-N

BFY90, BFW92(A)

Min, VHF/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz

BFS18

F1

F4

Si-N

BF185, BF495

Min, HF,30V, 30mA, 200MHz

BFS19

F2

F5

Si-N

BF184, BF494

Min, HF,30V, 30mA, 260MHz

BFS20

G1

G4

Si-N

BF199

Min, HF, 30V, 30mA, 450MHz

BFT25

V1

V4

Si-N

BFT24

Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHz

BFT46

M3

NFT

BFW13, BF245

Min, NF/HF,25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V

BFT92

W1

W4

Si-P

BFQ51, BFQ52

Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz

BFT93

X1

X4

Si-P

BFQ23, BFQ24

Min, UHF-A, 15V, 35mA, 5GHz

BRY61

A5

BYT

BRY56

70V, lp=5 « A, lv= 30 « A

BRY62

A51

Tetrode

BRY56, BRY39

Tetrode, Min,70V, 0.1 75A, T=10 « s

BSR12

B5

B8

Si-P

2N2894A

Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz, <20/30ns

BSR13

U7

U71

Si-N

2N2222, PH2222

Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns

BSR14

U8

U81

Si-N

2N2222A, PH2222A

Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns

BSR15

Т 7

Т 71

Si-P

2N2907, PH2907

Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns

BSR16

Т 8

Т 81

Si-P

2N2907A PH2907A

Min, HF/S,60/60V, 0.6A, <35/110ns

BSR17

U9

U91

Si-N

2N3903

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/250ns, B=50-150

BSR17A

U92

U93

Si-N

2N3904

Min, HF/S,60V, 0.2A, <70/225ns, B=100-300

BSR18

Т 9

Т 91

Si-P

2N3905

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz

BSR18A

Т 92

Т 93

Si-P

2N3906

Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz

BSR19

U35

Si-N

2N5550

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR19A

U36

Si-N

2N5551

Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz

BSR20

Т 35

Si-P

2N5400

Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz

BSR20A

Т 36

Si-P

2N5401

Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz

BSR56

М 4

N-FET

2N4856

Min, S, Chopper,40V, Idss >40mA, Up < 10V

BSR57

М 5

N-FET

2N4857

Min, S, Chopper,40V, Idss >20mA, Up <6V

BSR58

Мб

N-FET

2N4858

Min, S, Chopper,40V, Idss >8mA, Up <4V

BSS63

ТЗ

Т 6

Si-P

BSS68

Min.Uni, 110V, 0.1A, 85MHz

BSS64

U6

U6

Si-N

BSS38

Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz

BSV52

В 2

ВЗ

Si-N

PH2369, BSX20

Min, S,20V, 0.1 A, < 12/1 8ns

BZX84-...

 

Si-St

BZX79

Min, Mm/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0. 3W

PBMF4391

М 62

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V

PBMF4392

М 63

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V

PBMF4393

М 64

N-FET

 

Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Кодовое обозначение SMD приборов в копусе(sot - 89)

тип прибора

кодовая марк.

структура

рекомендуемый аналог

краткие параметры

BC868

CAC

Si-P

BD329

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

ВС 869

СЕС

Si-P

BC369, BD330

Min, NF-Tr/E, 25V, 1A, 60MHz

BCV61

D91

Si-N

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 300MHz

BCV62

С 91

Si-P

Min, temp-komp., 50V, 0.1A, 150MHz

ВСХ 51

АА

Si-P

BC636, BD136

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 52

АЕ

Si-P

BC638, BD138

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 53

АН

Si-P

BC640, BD140

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 54

ВА

Si-N

BC635, BD135

Min, NF-Tr, 45V, 1A, 50MHz

ВСХ 55

BE

Si-N

BC637, BD137

Min, NF-Tr, 60V, 1A, 50MHz

ВСХ 56

ВН

Si-N

BC639, BD139

Min, NF-Tr, 100V, 1A, 50MHz

ВСХ 68

СА

Si-N

BC368, BD329

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

ВСХ 69

СЕ

Si-P

BC369, BD300

Min, Uni,25V, 1A, 65MHz

BF620

DC

Si-N

BF420, BF471, BF871

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF621

DF

Si-P

BF421, BF472, BF872

Min, Vid,300V, 0.02A, >60MHz

BF622

DA

Si-N

BF422, BF469, BF869

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BF623

DB

Si-P

BF423, BF470, BF870

Min, Vid,250V, 0.02A, >60MHz

BFQ17

FA

Si-N

BFW16A

Min, VHF/UHF-A, 40V, 150mA, 1.2GHz

BFQ18A

FF

Si-N

BFQ34, BFQ64

Min, UHF-A,25V, 150mA, 3.6GHz

BFQ19

FB

Si-N

BFR96, 2SC3268

Min, UHF-A, 20V, 75mA, 5GHz

BFQ67

V2

Si-N

BFQ65

Min, UHF-A, 20V, 50mA, 7.5GHz, ra

BSR30

BR1

Si-P

2N4030

Min, NF/S, 70V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR31

BR2

Si-P

2N4031

Min, NF/S, 70V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR32

BR3

Si-P

2N4032

Min, NF/S, 90V, 1A, <500/650ns, B>40

BSR33

BR4

Si-P

2N4033

Min, NF/S, 90V, 1A,<500/650ns, B>100

BSR40

AR1

Si-N

BSX46-6

Min, NF/S, 70V, 1A,<250/1000ns, B>40

BSR41

AR2

Si-N

BSX46-16

Min, NF/S, 70V,1A,<250/1000ns,B>100

BSR42

AR3

Si-N

2N3020

Min, NF/S, 90V,1A,<250/1000ns, B>40

BSR43

AR4

Si-N

2N3019

Min, NF/S,90V, 1 A,<250/1000ns,B> 100

BST15

BT1

Si-P

2N5415

Min, NF/S/Vid, 200V, 1A, >15MHz

BST16

BT2

Si-P

2N5416

Min, NF/S/Vid, 350V, 1A, >15MHz

BST39

AT1

Si-N

 

Min, NF/S/Vid, 450V, 1A, >15MHz

BST40

AT2

Si-N

 

Min, NF/S/Vid, 300V, 1A, >15MHz

BST50

AS1

Si-N-Darl

BSR50, BSS50, BDX42

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST51

AS2

Si-N-Darl

BSR51, BSS51, BDX43

Min, 80V, 1A, 350MHz, B>2000

BST52

AS3

Si-N-Darl

BSR52, BSS52, BDX44

Min,100V, 1A, 350MHz, B>2000

BST60

BS1

Si-P-Darl

BSR60, BSS60, BDX45

Min,60V, 1A, 350MHz, B>2000

BST61

BS2

Si-P-Dari

BSR61, BSS61, BDX46

Min,80V, 1A, 350MHz, B>2000

ПРИНЯТЫЕ СОКРАЩЕНИЯ В ТАБЛИЦЕ

Графа 3:

C-Di (Capacitance diode [varactor, varicap]) - емкостной диод ( варикап );
MQS-N(P)-FET-d(e) (Metal oxide FET, enhancement type) - МДП - транзистор с каналом N (P);
N-FET (N-channel field-effect transistors) - полевой транзистор с N- каналом ;
PIN-Di (PIN -diode) - диод ;
P-FET (P- channel field-effect transistors) - полевой транзистор с Р - каналом ;
S (Sensor devices) - сенсорная схема ;
Si-Di (Silicon diode) - кремниевый диод
Si-N (Silicon NPN transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор ;
Si-N-Darl (Silicon NPN Darlington transistor) - кремниевый NPN ( обратный ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-P (Silicon PNP transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор
Si-P-Darl (Silicon PNP Darlington transistor) - кремниевый PNP ( прямой ) транзистор по схеме Дарлингтона ;
Si-St (Silicon-stabi-diode [operation in forward direction]) - стабилизирующий диод ( стабилитрон );
T ( Tuner Diodes ) - переключающий диод ;
Tetrode ( P - + N - gate thyristor ) - транзистор с четырехслойной структурой
Vrf ( Voltage reference diodes ) - высокостабильный опорный диод
Vrg ( Voltage requlator diodes ) - регулируемый опорный диод ;

Графа 4:

AM ( RF application ) - амплитудная модуляция
Band - S ( RF band switching ) - ключевой элемент ( электронный переключатель диапазона );Chopper (Chopper) - прерыватель ;
Dual (Dual transistors for differential amplifiers or dual diode) - сдвоенный транзистор ( диод )
FED ( Field effect diode ) - диод , управляющий напряжением
FM ( RF application ) - частотная модуляция
HF ( RF application [ general ]) - высокочастотный диапазон
LED (Light-emitting diode) - светодиод
M (Mixer stages) - смесительный
Min (Miniaturized) - миниатюрный
NF (AF applications) - низкочастотный ( звуковой ) диапазон
О (Oscillator stages) - генераторная схема
га (Low noise) - малошумящий
S (Switching stages) - ключевой
SS (Fast switching stages) - быстродействующий ключ
sym (Symmetrical types) - симметричный
Tr (Driver stages) - мощной устройство ( мощный управляющий ключ )
tuning (RF tuning diode) - переключающий диод для схем переключения диапазона
Tunnel-Di (Tunnel diode) - тунельный диод
UHF (RF applications [>250MHz]) - ультрокороткий ( СВЧ ) диапазон
Uni (General purpose tyres) - универсальный ( массового применения )
V (Pre/input stages) - предварительный ( для входных цепей )
VHF (RF applications [approx. 100...250 MHz]) - высокочастотный ( УКВ ) диапазон
Vid (Video output stages) - видеочастотный ( для цепей видеочастоты )

 

 

Радиодетали, приборы, диски, литература почтой.

  • Главная страница сайта

  • Контакты и правила заказа

  • Цены на радиодетали,обзор прайса

  • Припой "Cynel" от производителя

  • ORANGE 2 и JTAG- цены, схемы, фото.

  • CD диски со схемами,Data Sheet и секретами ремонта

  • Моношасси телевизоров

  • Радиотехническая литература

  • Измеритель уровня сигналов SAT TV для быстрой и качественной установки головок на спутник

  • Cхемы на E-Mail


    Скачать бесплатно схемы,электронные книги (ebook) по радиоэлектронике, схемы для начинающих, радиотехника для начинающих схемы ТВ бесплатно, схемы управления, радиоустройств
    блоков питания, схемы усилителей мощности.
    Справочники радиолюбителя, справочники микросхемы
    справочники электронных компонентов - диоды, тиристоры, транзисторы, конденсаторы, datasheet электронных компонентов.

    Скачать бесплатно книги для радиолюбителей

    Скачать бесплатно журналы для радиолюбителей

    Скачать бесплатно схемы

    Скачать бесплатно DATA SHEET

Справочники и учебный материал (бесплатно)

Радиолюбительские схемы (бесплатно)

Украина. Львовская область. г.Трускавец.

Все права защищены. Разрешается републикация материалов сайта с обязательным указанием ссылки: http://pryriz.org.ua .

Copyright©Ukraine.Lviv reg.Truskavets.2010



Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками

Малошумящий антенный усилитель своими руками